หมวดหมู่ | เฟต IGBT แบบตัวนอน (ชิฟแปะผิว) |
ราคา | 40.00 บาท |
ลงสินค้า | 25 มิ.ย. 2562 |
อัพเดทล่าสุด | 27 ม.ค. 2563 |
คงเหลือ | 0 ชิ้น |
Type Designator: TK5P65W
Type of Transistor: MOSFET
Type of Control Channel: N -Channel
Maximum Power Dissipation (Pd): 60 W
Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 650 V
Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 30 V
Maximum Gate-Threshold Voltage |Vgs(th)|: 3.5 V
Maximum Drain Current |Id|: 5.2 A
Maximum Junction Temperature (Tj): 150 °C
Total Gate Charge (Qg): 10.5 nC
Rise Time (tr): 17 nS
Drain-Source Capacitance (Cd): 10 pF
Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 1.22 Ohm
หน้าที่เข้าชม | 1,979,603 ครั้ง |
ผู้ชมทั้งหมด | 805,534 ครั้ง |
ร้านค้าอัพเดท | 18 ต.ค. 2568 |