หมวดหมู่ | เฟต IGBT แบบตัวตั้ง |
ราคา | 45.00 บาท |
สถานะสินค้า | พร้อมส่ง |
ลงสินค้า | 8 ก.ค. 2563 |
อัพเดทล่าสุด | 9 ก.ค. 2563 |
คงเหลือ | 34 ตัว |
จำนวน | ตัว |
Type Designator: 8N65
Type of Transistor: MOSFET
Type of Control Channel: N -Channel
Maximum Power Dissipation (Pd): 147 W
Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 650 V
Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 30 V
Maximum Drain Current |Id|: 8 A
Maximum Junction Temperature (Tj): 150 °C
Rise Time (tr): 60.5 nS
Drain-Source Capacitance (Cd): 105 pF
Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 1 Ohm
หน้าที่เข้าชม | 1,979,603 ครั้ง |
ผู้ชมทั้งหมด | 805,534 ครั้ง |
ร้านค้าอัพเดท | 18 ต.ค. 2568 |