
| หมวดหมู่ | เฟต IGBT แบบตัวตั้ง |
| ราคา | 45.00 บาท |
| สถานะสินค้า | พร้อมส่ง |
| ลงสินค้า | 8 ก.ค. 2563 |
| อัพเดทล่าสุด | 9 ก.ค. 2563 |
| คงเหลือ | 34 ตัว |
| จำนวน | ตัว |
Type Designator: 8N65
Type of Transistor: MOSFET
Type of Control Channel: N -Channel
Maximum Power Dissipation (Pd): 147 W
Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 650 V
Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 30 V
Maximum Drain Current |Id|: 8 A
Maximum Junction Temperature (Tj): 150 °C
Rise Time (tr): 60.5 nS
Drain-Source Capacitance (Cd): 105 pF
Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 1 Ohm


| หน้าที่เข้าชม | 1,987,974 ครั้ง |
| ผู้ชมทั้งหมด | 813,905 ครั้ง |
| ร้านค้าอัพเดท | 13 ธ.ค. 2568 |